LTC8591

LTC859x系列放大器具备极低的输入失调电压(最大±90 μV)和低温漂特性(最大±0.5 μV/℃),并在设计中实现了1.2 MHz增益带宽积与1 V/μs高压摆率的结合,同时仅消耗120 μA的电源电流。该系列器件具有单位增益稳定性,并具备良好的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。 LTC859x系列非常适合需要对微弱信号进行精密放大、且不容许误差源存在的应用场景,即使在需要高带宽和快速瞬态响应的条件下也是如此。轨到轨的输入输出摆幅使其易于实现高边和低边检测。该系列可在低至1.8V的单电源电压下工作,适用于两节电池供电的应用。 LTC859x运算放大器增强了电磁干扰(EMI)保护功能,以最大限度地减少外部电磁干扰的影响,并具备高静电放电(ESD)保护能力(5kV HBM)。所有型号均适用于-40℃至+125℃的扩展工业温度范围。

数据表

产品详情

  • 特点

  • 关键参数

  • 应用

高直流精度: 

    --失调电压(VOS):最大±90 μV,漂移最大±0.5 μV/℃ 

    --开环增益(AVOL):最小106 dB(VS = 5V时) 

    --电源抑制比(PSRR):最小106 dB(VS = 5V时) 

    --共模抑制比(CMRR):最小100 dB(VS = 5V时) 

    --噪声电压(Vn):0.6 μV峰峰值(0.1至10 Hz频带内) 

1.2 MHz带宽与1 V/μs压摆率 

1V阶跃信号下建立至0.1%精度的时间: 1.2 μs 

过载恢复至0.1%精度的时间: 35 μs 

每放大器低功耗120 μA,宽电源电压范围1.8 V至5.5 V 

工作温度范围: −40℃ 至 +125℃

通道数:1 

供电电压:1.8V~5.5V 

最大失调电压:90μV 

最大温度漂移:0.5µV/℃ 

共模抑制比:120dB 

电源抑制比:120dB 

电压噪声:0.6μVP-P 

建立稳定时间:1.2μs 

过载恢复时间:35μs 

增益带宽:1.2MHz 

压摆率:1.0V/μs 

静态电流:120μA 

封装:SOT23-5,SO8 

状态:Active

精密电流检测 

电阻式热探测器 

温度、位置与压力传感器 

医疗设备 

电子秤 

应变片放大器 

热电偶放大器 

驱动模数转换器

LTC8591

LTC859x系列放大器具备极低的输入失调电压(最大±90 μV)和低温漂特性(最大±0.5 μV/℃),并在设计中实现了1.2 MHz增益带宽积与1 V/μs高压摆率的结合,同时仅消耗120 μA的电源电流。该系列器件具有单位增益稳定性,并具备良好的电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)。 LTC859x系列非常适合需要对微弱信号进行精密放大、且不容许误差源存在的应用场景,即使在需要高带宽和快速瞬态响应的条件下也是如此。轨到轨的输入输出摆幅使其易于实现高边和低边检测。该系列可在低至1.8V的单电源电压下工作,适用于两节电池供电的应用。 LTC859x运算放大器增强了电磁干扰(EMI)保护功能,以最大限度地减少外部电磁干扰的影响,并具备高静电放电(ESD)保护能力(5kV HBM)。所有型号均适用于-40℃至+125℃的扩展工业温度范围。

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订购信息

可订购型号 样片申请 采购 包装数量 封装名称
LTC8591XS8/R8

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立即采购 4 000 SOIC-8L
LTC8591XT5/R6

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已经获取

立即采购 3 000 SOT23-5L