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  • H桥数量（CH）
  • 供电电压VM
  • 导通电阻RDS(on)
  • 峰值电流IPK
  • 控制模式 Ctrl Mode
  • 拓扑结构Topology
  • 功能Function
  • 封装Packages
  • 状态Status
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  • H桥数量（CH）
  • 供电电压VM
  • 导通电阻RDS(on)
  • 峰值电流IPK
  • 控制模式 Ctrl Mode
  • 拓扑结构Topology
  • 功能Function
  • 封装Packages
  • 状态Status

  • 1

    11V

    0.44Ω

    1.6A

    H/W(PWM)

    Int FET

    nSleep

    ESOP8,DFN2x2-8

    Active

  • 1

    11V

    0.44Ω

    1.6A

    H/W(PH/EN)

    Int FET

    nSleep

    ESOP8,DFN2x2-8

    Active

  • LTM5030
    • H桥数量（CH）:
      1
    • 供电电压VM:
      11V
    • 导通电阻RDS(on):
      0.44Ω
    • 峰值电流IPK:
      1.6A
    • 控制模式 Ctrl Mode:
      H/W(PWM)
    • 拓扑结构Topology:
      Int FET
    • 功能Function:
      nSleep
    • 封装Packages:
      ESOP8,DFN2x2-8
    • 状态Status:
      Active
  • LTM5032
    • H桥数量（CH）:
      1
    • 供电电压VM:
      11V
    • 导通电阻RDS(on):
      0.44Ω
    • 峰值电流IPK:
      1.6A
    • 控制模式 Ctrl Mode:
      H/W(PH/EN)
    • 拓扑结构Topology:
      Int FET
    • 功能Function:
      nSleep
    • 封装Packages:
      ESOP8,DFN2x2-8
    • 状态Status:
      Active