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  • 供电电压VM（V)
    • 8~36
    重置筛选器
  • 导通电阻RDS(Ω)
    • 0.65
    • 95
    • 120
    • 440
    • 450
    • 600
    重置筛选器
  • 峰值电流 IPK（A）
  • 休眠电流 IVMSLEEP（nA)
  • 静态电流 IVM(mA)
  • 体二极管正向导通电流 VF（V）
  • PWM消隐时间tBLANK（μs）
  • 关闭时间 toff（μs）
  • 导通时间 ton（μs）
  • 死区时间 tDEAD（ns）
  • 封装Packages
  • 湿敏等级 MSL
  • 状态Status
  • Part No.
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  • 供电电压VM（V)
    • 8~36

    重置筛选器

  • 导通电阻RDS(Ω)
    • 0.65
    • 95
    • 120
    • 440
    • 450
    • 600

    重置筛选器

  • 峰值电流 IPK（A）
  • 休眠电流 IVMSLEEP（nA)
  • 静态电流 IVM(mA)

    重置筛选器

  • 体二极管正向导通电流 VF（V）
  • PWM消隐时间tBLANK（μs）
  • 关闭时间 toff（μs）
  • 导通时间 ton（μs）
  • 死区时间 tDEAD（ns）
  • 封装Packages
  • 湿敏等级 MSL
  • 状态Status

  • 440

    1.6

    ESOP8,DFN2*2-8

    MSL3

    Pre-release

  • 8~36

    0.65

    3.5

    1

    10

    1.5

    3

    25

    30

    500

    ESOP8

    MSL3

    Active

  • 600

    3.5

    ESOP8

    MSL3

    Development

  • 120

    5.5

    ESOP8

    MSL3

    Development

  • 450

    4.1

    ESOP8

    MSL3

    Development

  • 450

    4.1

    ESOP8

    MSL3

    Development

  • 450

    4.1

    ESOP8

    MSL3

    Development

  • 450

    4.1

    ESOP8

    MSL3

    Development

  • 450

    4.1

    ESOP8

    MSL3

    Development

  • 450

    4.1

    ESOP8

    MSL3

    Pre-release

  • 95

    10

    ESOP8

    MSL3

    Development

  • 440

    1.6

    ESOP8,DFN2*2-8

    MSL3

    Pre-release

  • LTM5032
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      440
    • 峰值电流 IPK（A）:
      1.6
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8,DFN2*2-8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Pre-release
  • LTP5070
    • 供电电压VM（V):
      8~36
    • 导通电阻RDS(Ω):
      0.65
    • 峰值电流 IPK（A）:
      3.5
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
      1
    • 静态电流 IVM(mA):
      10
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
      1.5
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
      3
    • 关闭时间 toff（μs）:
      25
    • 导通时间 ton（μs）:
      30
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
      500
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Active
  • LTP5070C
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      600
    • 峰值电流 IPK（A）:
      3.5
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Development
  • LTM5031
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      120
    • 峰值电流 IPK（A）:
      5.5
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Development
  • LTM5071
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      450
    • 峰值电流 IPK（A）:
      4.1
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Development
  • LTM5071A
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      450
    • 峰值电流 IPK（A）:
      4.1
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Development
  • LTM5072
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      450
    • 峰值电流 IPK（A）:
      4.1
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Development
  • LTM5072A
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      450
    • 峰值电流 IPK（A）:
      4.1
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Development
  • LTM5075
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      450
    • 峰值电流 IPK（A）:
      4.1
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Development
  • LTM5076
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      450
    • 峰值电流 IPK（A）:
      4.1
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Pre-release
  • LTM5090A
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      95
    • 峰值电流 IPK（A）:
      10
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Development
  • LTM5030
    • 供电电压VM（V):
    • 导通电阻RDS(Ω):
      440
    • 峰值电流 IPK（A）:
      1.6
    • 休眠电流 IVMSLEEP（nA):
    • 静态电流 IVM(mA):
    • 体二极管正向导通电流 VF（V）:
    • PWM消隐时间tBLANK（μs）:
    • 关闭时间 toff（μs）:
    • 导通时间 ton（μs）:
    • 死区时间 tDEAD（ns）:
    • 封装Packages:
      ESOP8,DFN2*2-8
    • 湿敏等级 MSL:
      MSL3
    • 状态Status:
      Pre-release