先积集成

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H桥数量（CH）
VM(min)(V)
VM(max)(V)
峰值电流 (A)
Rds(on)(HS+LS)(mΩ)
控制模式
微步进阶数
功能
封装
状态

2

8

45

1.6

1500

H/W (PWM) PH/EN

-

Decay, nFault

ETSSOP28，EQFN5*5-28

Development
2

4

18

1.2

800

1*Analog

256

-

DFN3*3-10，TSSOP-16

Planned
2

4

18

2

900

H/W(PWM)

-

nFault

ETSSOP10,EMSOP10

Development
2

4

18

2

900

H/W(PWM)

-

-

ETSSOP10,EMSOP10

Development
2

2.5

18

4

400

H/W(PWM)

-

IPROP, nFault

ETSSOP16,EQFN3*3-16

Development
2

1.65

11

4

400

H/W(PWM)

-

IPROP, nFault

ETSSOP16,EQFN3*3-16

Pre-release

LTM5571
- H桥数量（CH）:
  
  2
- VM(min)(V):
  
  8
- VM(max)(V):
  
  45
- 峰值电流 (A):
  
  1.6
- Rds(on)(HS+LS)(mΩ):
  
  1500
- 控制模式:
  
  H/W (PWM) PH/EN
- 微步进阶数:
  
  -
- 功能:
  
  Decay, nFault
- 封装:
  
  ETSSOP28，EQFN5*5-28
- 状态:
  
  Development
LTM5538
- H桥数量（CH）:
  
  2
- VM(min)(V):
  
  4
- VM(max)(V):
  
  18
- 峰值电流 (A):
  
  1.2
- Rds(on)(HS+LS)(mΩ):
  
  800
- 控制模式:
  
  1*Analog
- 微步进阶数:
  
  256
- 功能:
  
  -
- 封装:
  
  DFN3*3-10，TSSOP-16
- 状态:
  
  Planned
LTM5533B
- H桥数量（CH）:
  
  2
- VM(min)(V):
  
  4
- VM(max)(V):
  
  18
- 峰值电流 (A):
  
  2
- Rds(on)(HS+LS)(mΩ):
  
  900
- 控制模式:
  
  H/W(PWM)
- 微步进阶数:
  
  -
- 功能:
  
  nFault
- 封装:
  
  ETSSOP10,EMSOP10
- 状态:
  
  Development
LTM5533A
- H桥数量（CH）:
  
  2
- VM(min)(V):
  
  4
- VM(max)(V):
  
  18
- 峰值电流 (A):
  
  2
- Rds(on)(HS+LS)(mΩ):
  
  900
- 控制模式:
  
  H/W(PWM)
- 微步进阶数:
  
  -
- 功能:
  
  -
- 封装:
  
  ETSSOP10,EMSOP10
- 状态:
  
  Development
LTM5532
- H桥数量（CH）:
  
  2
- VM(min)(V):
  
  2.5
- VM(max)(V):
  
  18
- 峰值电流 (A):
  
  4
- Rds(on)(HS+LS)(mΩ):
  
  400
- 控制模式:
  
  H/W(PWM)
- 微步进阶数:
  
  -
- 功能:
  
  IPROP, nFault
- 封装:
  
  ETSSOP16,EQFN3*3-16
- 状态:
  
  Development
LTM5531
- H桥数量（CH）:
  
  2
- VM(min)(V):
  
  1.65
- VM(max)(V):
  
  11
- 峰值电流 (A):
  
  4
- Rds(on)(HS+LS)(mΩ):
  
  400
- 控制模式:
  
  H/W(PWM)
- 微步进阶数:
  
  -
- 功能:
  
  IPROP, nFault
- 封装:
  
  ETSSOP16,EQFN3*3-16
- 状态:
  
  Pre-release