LTM5072
数据表
产品详情
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特点
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关键参数
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应用
H桥数量：1
V(max)：40 V
峰值电流：4.1 A
Rds(on)(HS+LS)：450 mΩ
控制模式：H/W (PWM)
拓扑结构：InternalFET
功能：ISEN,VREF,nFault
封装：ESOP8
状态：研发
LTM5072
