LTM5076
数据表
产品详情
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特点
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关键参数
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应用
H桥数量：1
V(min)：6.5 V
V(max)：36 V
峰值电流：3.5 A
Rds(on)(HS+LS)：574 mΩ
控制模式：H/W (PWM or PH/EN)
拓扑结构：InternalFET
功能：nSleep,IPROP,nFault
封装：ETSSOP16
状态：试产
LTM5076
