LTP755L
LTP755L系列是基于CMOS工艺的低压差、低功耗线性稳压器，可提供500mA输出电流，并具有低压差、高纹波抑制、高输出精度和低静态电流等特点。该系列由精密电压基准模块、误差放大器、电压设定电阻网络、P-MOSFET通路管、热关断电路以及带短路保护的限流电路组成。 LTP755L采用先进的CMOS工艺，最大程度降低了静态电流。其配备的低导通电阻P-MOS通路管实现了更低的压差电压。此外，LTP755L还具备使能（EN）功能，可进一步节能并延长电池寿命。 LTP755L系列提供SOT23-5、DFN1*1-4及DFN2*2-6封装可选。
数据表
产品详情
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特点
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关键参数
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应用
输入电压： 1.9V ~ 5.5V
输出电流： 高达 500mA
输出电压范围： 1.0V 至 3.6V（固定或外部可调）
低静态电流： 典型值 50µA
优异的负载/线性瞬态响应
内置自动放电电路
内置过流保护与热关断电路
内置浪涌电流抑制电路及限流器
输入电压：1.9~5.5V
输出电压Fix：1.0~3.6V
输出电流：500mA
电源抑制比：70@dB1kHz
静态电流：50uA
压差：260mV
输出放电：Y
使能：Y
封装：SOT23-5，DFN1*1-4，DFN2*2-6
状态:Active
LTP755L
LTP755L系列是基于CMOS工艺的低压差、低功耗线性稳压器，可提供500mA输出电流，并具有低压差、高纹波抑制、高输出精度和低静态电流等特点。该系列由精密电压基准模块、误差放大器、电压设定电阻网络、P-MOSFET通路管、热关断电路以及带短路保护的限流电路组成。 LTP755L采用先进的CMOS工艺，最大程度降低了静态电流。其配备的低导通电阻P-MOS通路管实现了更低的压差电压。此外，LTP755L还具备使能（EN）功能，可进一步节能并延长电池寿命。 LTP755L系列提供SOT23-5、DFN1*1-4及DFN2*2-6封装可选。
